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碳化硅雪崩光电二极管及其阵列知识科普
作者: 编辑: 来源: 发布日期: 2021.03.28
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以碳化硅雪崩光电二极管为核心的固体紫外探测器在火焰探测、天文研究、电晕探测乃至导弹羽流探测等方面都具有广泛的应用前景。但其阵列是何样的呢?接…
  以碳化硅雪崩光电二极管为核心的固体紫外探测器在火焰探测、天文研究、电晕探测乃至导弹羽流探测等方面都具有广泛的应用前景。但其阵列是何样的呢?接下来,小编来为大家科普一下相关知识。
  尽管目前国内外学者对用于紫外探测的4H-SiC-apd进行了广泛的研究,但近几年来,大多数的研究工作都集中在分立器件上。雪崩光电二极管阵列的高像素收率、低泄漏电流、击穿电压波动小等特点是很难实现的。此前报道过的4H-SiC-APD阵列通常尺寸较小,而且像素数较少。
  对高性能4H-SiC紫外雪崩光电二极管和1×128线阵进行了制备和研究。用CVD法制备了4H-SiC外延层,并对4H-SiC-APD外延层的结构进行详细设计。
  另外,为了得到均匀的低缺陷密度外延层,对生长条件进行优化。对器件的制作工艺进行改进,包括台面腐蚀和高质量的钝化。
  通过对4H-SiC外延层材料和器件制备工艺的改进,制备的4H-SiC-apd和1×128线列阵列总长度达到20mm,具有较好的性能。
  常温下阵列的APD像素增益超过105,最大量子效率为53%@285nm.另外,1×1284h-sicapd线阵的像素输出为100%,在95%的击穿电压下,其暗电流小于1na,而在0.3v的情况下,击穿电压变化较小。
  以上便是碳化硅光电二极管及其阵列的相关知识。

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