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激光二极管发展介绍
作者: 编辑: 来源: 发布日期: 2019.12.14
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上世纪60年代发明的一种光源,命名为激光,LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母缩写。1962年秋首次研制出77K下脉冲受激发射的同质…
上世纪60年代发明的一种光源,命名为激光,LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母缩写。
1962年秋首次研制出 77K下脉冲受激发射的同质结GaAs 激光二极管。
1964 年将其工作温度提高到室温。
1969年制造出室温下脉冲工作的单异质结激光二极管,
1970年制成室温下连续工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs双异质结(DH)激光二极管。此后,激光二极管迅速发展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二极管的寿命提高到105小时以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 长波长DH激光二极管也取得重大进展,因而推动了光纤通信和其他应用的发展。此外还出现了由Pb1-xSnxTe等 Ⅳ-Ⅵ族材料制成的远红外波长激光二极管。

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